SQD90P04-9M4L_GE3
Artikelnummer:
SQD90P04-9M4L_GE3
Hersteller:
Vishay / Siliconix
Beschreibung:
MOSFET P-CH 40V 90A TO252AA
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
13910 Pieces
Datenblatt:
SQD90P04-9M4L_GE3.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-252AA
Serie:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:9.4 mOhm @ 17A, 10V
Verlustleistung (max):136W (Tc)
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TA)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:18 Weeks
Hersteller-Teilenummer:SQD90P04-9M4L_GE3
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:6675pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:155nC @ 10V
Typ FET:P-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:P-Channel 40V 90A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):40V
Beschreibung:MOSFET P-CH 40V 90A TO252AA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:90A (Tc)
Email:[email protected]

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