STB20NM50FDT4
STB20NM50FDT4
Artikelnummer:
STB20NM50FDT4
Hersteller:
ST
Beschreibung:
MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
16359 Pieces
Datenblatt:
STB20NM50FDT4.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:D2PAK
Serie:FDmesh™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:250 mOhm @ 10A, 10V
Verlustleistung (max):192W (Tc)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen:497-6191-2
Betriebstemperatur:150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:22 Weeks
Hersteller-Teilenummer:STB20NM50FDT4
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:1380pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:53nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 500V 20A (Tc) 192W (Tc) Surface Mount D2PAK
Drain-Source-Spannung (Vdss):500V
Beschreibung:MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:20A (Tc)
Email:[email protected]

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