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STB5NK50Z-1
- Artikelnummer:
- STB5NK50Z-1
- Hersteller:
- ST
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 500V 4.4A I2PAK
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 18064 Pieces
- Datenblatt:
- STB5NK50Z-1.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für STB5NK50Z-1, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für STB5NK50Z-1 per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4.5V @ 50µA |
|---|---|
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | I-Pak |
| Serie: | SuperMESH™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 1.5 Ohm @ 2.2A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 70W (Tc) |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 18 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | STB5NK50Z-1 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 535pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 28nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 500V 4.4A (Tc) 70W (Tc) Through Hole I-Pak |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 500V |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 500V 4.4A I2PAK |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 4.4A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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