STD96N3LLH6
STD96N3LLH6
Artikelnummer:
STD96N3LLH6
Hersteller:
ST
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
13228 Pieces
Datenblatt:
STD96N3LLH6.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:DPAK
Serie:DeepGATE™, STripFET™ VI
Rds On (Max) @ Id, Vgs:4.2 mOhm @ 40A, 10V
Verlustleistung (max):70W (Tc)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen:497-11214-2
Betriebstemperatur:175°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:26 Weeks
Hersteller-Teilenummer:STD96N3LLH6
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:2200pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:20nC @ 4.5V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 30V 80A (Tc) 70W (Tc) Surface Mount DPAK
Drain-Source-Spannung (Vdss):30V
Beschreibung:MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:80A (Tc)
Email:[email protected]

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