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STGD4M65DF2
- Artikelnummer:
- STGD4M65DF2
- Hersteller:
- ST
- Beschreibung:
- TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 12587 Pieces
- Datenblatt:
- STGD4M65DF2.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für STGD4M65DF2, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für STGD4M65DF2 per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 650V |
|---|---|
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic: | 2.1V @ 15V, 4A |
| Testbedingung: | 400V, 4A, 47 Ohm, 15V |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C: | 12ns/86ns |
| Schaltenergie: | 40µJ (on), 136µJ (off) |
| Supplier Device-Gehäuse: | DPAK |
| Serie: | M |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr): | 133ns |
| Leistung - max: | 68W |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Andere Namen: | 497-16963-2 |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 26 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | STGD4M65DF2 |
| Eingabetyp: | Standard |
| IGBT-Typ: | Trench Field Stop |
| Gate-Ladung: | 15.2nC |
| Expanded Beschreibung: | IGBT Trench Field Stop 650V 8A 68W Surface Mount DPAK |
| Beschreibung: | TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S |
| Strom - Collector Pulsed (Icm): | 16A |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 8A |
| Email: | [email protected] |
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