STL12N65M2
STL12N65M2
Artikelnummer:
STL12N65M2
Hersteller:
ST
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 8.5A PWRFLAT56
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
17652 Pieces
Datenblatt:
STL12N65M2.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:PowerFlat™ (5x6)
Serie:MDmesh™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:750 mOhm @ 3A, 10V
Verlustleistung (max):48W (Tc)
Verpackung:Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse:8-PowerVDFN
Andere Namen:497-15054-6
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer:STL12N65M2
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:410pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:12.5nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 650V 5A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):650V
Beschreibung:MOSFET N-CH 650V 8.5A PWRFLAT56
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:5A (Tc)
Email:[email protected]

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