STS4DNFS30L
STS4DNFS30L
Artikelnummer:
STS4DNFS30L
Hersteller:
ST
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 4A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
14152 Pieces
Datenblatt:
STS4DNFS30L.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:8-SO
Serie:STripFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:55 mOhm @ 2A, 10V
Verlustleistung (max):2W (Tc)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen:497-3227-2
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer:STS4DNFS30L
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:330pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:9nC @ 5V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:Schottky Diode (Isolated)
Expanded Beschreibung:N-Channel 30V 4A (Tc) 2W (Tc) Surface Mount 8-SO
Drain-Source-Spannung (Vdss):30V
Beschreibung:MOSFET N-CH 30V 4A 8-SOIC
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:4A (Tc)
Email:[email protected]

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