Kaufen STS9P3LLH6 mit BYCHPS
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VGS (th) (Max) @ Id: | 2V @ 250µA |
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Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse: | 8-SO |
Serie: | STripFET™ H6 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 15 mOhm @ 4.5A, 10V |
Verlustleistung (max): | 2.7W (Ta) |
Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 18 Weeks |
Hersteller-Teilenummer: | STS9P3LLH6 |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 2615pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 24nC @ 4.5V |
Typ FET: | P-Channel |
FET-Merkmal: | - |
Expanded Beschreibung: | P-Channel 30V 9A (Ta) 2.7W (Ta) Surface Mount 8-SO |
Drain-Source-Spannung (Vdss): | 30V |
Beschreibung: | MOSFET PCH 30V 9A SO8 |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 9A (Ta) |
Email: | [email protected] |