STU2N80K5
STU2N80K5
Artikelnummer:
STU2N80K5
Hersteller:
ST
Beschreibung:
MOSFET N-CH 800V 2A IPAK
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
15257 Pieces
Datenblatt:
STU2N80K5.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 100µA
Vgs (Max):30V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:IPAK (TO-251)
Serie:SuperMESH5™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:4.5 Ohm @ 1A, 10V
Verlustleistung (max):45W (Tc)
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Andere Namen:497-15022-5
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:26 Weeks
Hersteller-Teilenummer:STU2N80K5
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:105pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:9.5nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 800V 2A (Tc) 45W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):800V
Beschreibung:MOSFET N-CH 800V 2A IPAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:2A (Tc)
Email:[email protected]

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