STW36NM60ND
STW36NM60ND
Artikelnummer:
STW36NM60ND
Hersteller:
ST
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 29A TO-247
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
18740 Pieces
Datenblatt:
STW36NM60ND.pdf

Einführung

BYCHIPS ist der Strumpfhändler für STW36NM60ND, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für STW36NM60ND per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Kaufen STW36NM60ND mit BYCHPS
Kaufen mit Garantie

Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-247
Serie:FDmesh™ II
Rds On (Max) @ Id, Vgs:110 mOhm @ 14.5A, 10V
Verlustleistung (max):190W (Tc)
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-247-3
Andere Namen:497-13888-5
Betriebstemperatur:150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:22 Weeks
Hersteller-Teilenummer:STW36NM60ND
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:2785pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:80.4nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 600V 29A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-247
Drain-Source-Spannung (Vdss):600V
Beschreibung:MOSFET N-CH 600V 29A TO-247
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:29A (Tc)
Email:[email protected]

Schnell Angebot anfordern

Artikelnummer
Anzahl
Unternehmen
Email
Telefon
Bemerkung/Erläuterung