SUD08P06-155L-GE3
SUD08P06-155L-GE3
Artikelnummer:
SUD08P06-155L-GE3
Hersteller:
Vishay / Siliconix
Beschreibung:
MOSFET P-CH 60V 8.4A DPAK
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
13355 Pieces
Datenblatt:
SUD08P06-155L-GE3.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-252
Serie:TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:155 mOhm @ 5A, 10V
Verlustleistung (max):1.7W (Ta), 20.8W (Tc)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen:SUD08P06-155L-GE3-ND
SUD08P06-155L-GE3TR
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:18 Weeks
Hersteller-Teilenummer:SUD08P06-155L-GE3
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:450pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:19nC @ 10V
Typ FET:P-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:P-Channel 60V 8.4A (Tc) 1.7W (Ta), 20.8W (Tc) Surface Mount TO-252
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):60V
Beschreibung:MOSFET P-CH 60V 8.4A DPAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:8.4A (Tc)
Email:[email protected]

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