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SUP53P06-20-GE3
- Artikelnummer:
- SUP53P06-20-GE3
- Hersteller:
- Vishay / Siliconix
- Beschreibung:
- MOSFET P-CH 60V 9.2A TO220AB
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 16290 Pieces
- Datenblatt:
- SUP53P06-20-GE3.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für SUP53P06-20-GE3, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für SUP53P06-20-GE3 per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-220AB |
| Serie: | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 19.5 mOhm @ 30A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 3.1W (Ta), 104.2W (Tc) |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-220-3 |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 15 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | SUP53P06-20-GE3 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 3500pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 115nC @ 10V |
| Typ FET: | P-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | P-Channel 60V 9.2A (Ta), 53A (Tc) 3.1W (Ta), 104.2W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 60V |
| Beschreibung: | MOSFET P-CH 60V 9.2A TO220AB |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 9.2A (Ta), 53A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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