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TK4P60DB(T6RSS-Q)
- Artikelnummer:
- TK4P60DB(T6RSS-Q)
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 600V 3.7A DPAK-3
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 12606 Pieces
- Datenblatt:
- TK4P60DB(T6RSS-Q).pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für TK4P60DB(T6RSS-Q), wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für TK4P60DB(T6RSS-Q) per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4.4V @ 1mA |
|---|---|
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | D-Pak |
| Serie: | π-MOSVII |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 2 Ohm @ 1.9A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 80W (Tc) |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Andere Namen: | TK4P60DBT6RSSQ |
| Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer: | TK4P60DB(T6RSS-Q) |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 540pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 11nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 600V 3.7A (Ta) 80W (Tc) Surface Mount D-Pak |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 600V |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 600V 3.7A DPAK-3 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 3.7A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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