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TK5A53D(STA4,Q,M)
- Artikelnummer:
- TK5A53D(STA4,Q,M)
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 525V 5A TO-220SIS
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 14747 Pieces
- Datenblatt:
- TK5A53D(STA4,Q,M).pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für TK5A53D(STA4,Q,M), wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für TK5A53D(STA4,Q,M) per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4.4V @ 1mA |
|---|---|
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-220SIS |
| Serie: | π-MOSVII |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 1.5 Ohm @ 2.5A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 35W (Tc) |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-220-3 Full Pack |
| Andere Namen: | TK5A53D(STA4QM) TK5A53DSTA4QM |
| Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 24 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | TK5A53D(STA4,Q,M) |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 540pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 11nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 525V 5A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 525V |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 525V 5A TO-220SIS |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 5A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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