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TPH2010FNH,L1Q
- Artikelnummer:
- TPH2010FNH,L1Q
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 250V 5.6A 8SOP
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 18358 Pieces
- Datenblatt:
- TPH2010FNH,L1Q.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für TPH2010FNH,L1Q, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für TPH2010FNH,L1Q per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 200µA |
|---|---|
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | 8-SOP Advance (5x5) |
| Serie: | U-MOSVIII-H |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 198 mOhm @ 2.8A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 1.6W (Ta), 42W (Tc) |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | 8-PowerVDFN |
| Andere Namen: | TPH2010FNH,L1Q(M TPH2010FNHL1QTR |
| Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 16 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | TPH2010FNH,L1Q |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 600pF @ 100V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 7nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 250V 5.6A (Ta) 1.6W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 250V |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 250V 5.6A 8SOP |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 5.6A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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