TT8U2TCR
TT8U2TCR
Artikelnummer:
TT8U2TCR
Hersteller:
LAPIS Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V 2.4A TSST8
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
18325 Pieces
Datenblatt:
TT8U2TCR.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 1mA
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:8-TSST
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:105 mOhm @ 2.4A, 4.5V
Verlustleistung (max):1.25W (Ta)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:8-SMD, Flat Lead
Betriebstemperatur:150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:10 Weeks
Hersteller-Teilenummer:TT8U2TCR
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:850pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:6.7nC @ 4.5V
Typ FET:P-Channel
FET-Merkmal:Schottky Diode (Isolated)
Expanded Beschreibung:P-Channel 20V 2.4A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount 8-TSST
Drain-Source-Spannung (Vdss):20V
Beschreibung:MOSFET P-CH 20V 2.4A TSST8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:2.4A (Ta)
Email:[email protected]

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