UMD4NTR
Artikelnummer:
UMD4NTR
Hersteller:
LAPIS Semiconductor
Beschreibung:
TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
12058 Pieces
Datenblatt:
UMD4NTR.pdf

Einführung

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Spezifikation

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor-Typ:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Supplier Device-Gehäuse:UMT6
Serie:-
Widerstand - Emitter-Basis (R2) (Ohm):47k
Widerstand - Base (R1) (Ohm):4.7k, 10k
Leistung - max:150mW, 120mW
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:10 Weeks
Hersteller-Teilenummer:UMD4NTR
Frequenz - Übergang:250MHz
Expanded Beschreibung:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW, 120mW Surface Mount UMT6
Beschreibung:TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE:68 @ 5mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max):500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max):100mA
Email:[email protected]

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