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UNR5117G0L
- Artikelnummer:
- UNR5117G0L
- Hersteller:
- Panasonic
- Beschreibung:
- TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 13761 Pieces
- Datenblatt:
- UNR5117G0L.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für UNR5117G0L, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für UNR5117G0L per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 50V |
|---|---|
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Transistor-Typ: | PNP - Pre-Biased |
| Supplier Device-Gehäuse: | SMini3-F2 |
| Serie: | - |
| Widerstand - Emitter-Basis (R2) (Ohm): | - |
| Widerstand - Base (R1) (Ohm): | 22k |
| Leistung - max: | 150mW |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | SC-85 |
| Andere Namen: | UNR5117G0LTR |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer: | UNR5117G0L |
| Frequenz - Übergang: | 80MHz |
| Expanded Beschreibung: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 80MHz 150mW Surface Mount SMini3-F2 |
| Beschreibung: | TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3 |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 160 @ 5mA, 10V |
| Strom - Collector Cutoff (Max): | 500nA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
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