US6K2TR
US6K2TR
Artikelnummer:
US6K2TR
Hersteller:
LAPIS Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 30V 1.4A TUMT6
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
13620 Pieces
Datenblatt:
US6K2TR.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 1mA
Supplier Device-Gehäuse:TUMT6
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:240 mOhm @ 1.4A, 10V
Leistung - max:1W
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:6-SMD, Flat Leads
Betriebstemperatur:150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:10 Weeks
Hersteller-Teilenummer:US6K2TR
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:70pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:2nC @ 5V
Typ FET:2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal:Logic Level Gate
Expanded Beschreibung:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 1.4A 1W Surface Mount TUMT6
Drain-Source-Spannung (Vdss):30V
Beschreibung:MOSFET 2N-CH 30V 1.4A TUMT6
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:1.4A
Email:[email protected]

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