US6M2TR
US6M2TR
Artikelnummer:
US6M2TR
Hersteller:
LAPIS Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
17654 Pieces
Datenblatt:
US6M2TR.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:1.5V @ 1mA
Supplier Device-Gehäuse:TUMT6
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:240 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Leistung - max:1W
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:6-SMD, Flat Leads
Betriebstemperatur:150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:10 Weeks
Hersteller-Teilenummer:US6M2TR
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:80pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:2.2nC @ 4.5V
Typ FET:N and P-Channel
FET-Merkmal:Standard
Expanded Beschreibung:Mosfet Array N and P-Channel 30V, 20V 1.5A, 1A 1W Surface Mount TUMT6
Drain-Source-Spannung (Vdss):30V, 20V
Beschreibung:MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:1.5A, 1A
Email:[email protected]

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