ZXM66N03N8TA
ZXM66N03N8TA
Artikelnummer:
ZXM66N03N8TA
Hersteller:
Diodes Incorporated
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status:
Enthält Blei / RoHS nicht konform
verfügbare Anzahl:
19720 Pieces
Datenblatt:
ZXM66N03N8TA.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:8-SO
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:15 mOhm @ 7.3A, 10V
Verlustleistung (max):2.5W (Ta)
Verpackung:Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen:ZXM66N03N8DKR
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer:ZXM66N03N8TA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:-
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 30V 9A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Drain-Source-Spannung (Vdss):30V
Beschreibung:MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:9A (Ta)
Email:[email protected]

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