AOU7S60
AOU7S60
Artikelnummer:
AOU7S60
Hersteller:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 7A TO251
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
13831 Pieces
Datenblatt:
1.AOU7S60.pdf2.AOU7S60.pdf3.AOU7S60.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:3.9V @ 250µA
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-251-3
Serie:aMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:600 mOhm @ 3.5A, 10V
Verlustleistung (max):83W (Tc)
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:16 Weeks
Hersteller-Teilenummer:AOU7S60
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:372pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:8.2nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 600V 7A (Tc) 83W (Tc) Through Hole TO-251-3
Drain-Source-Spannung (Vdss):600V
Beschreibung:MOSFET N-CH 600V 7A TO251
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:7A (Tc)
Email:[email protected]

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