AOWF10N60
AOWF10N60
Artikelnummer:
AOWF10N60
Hersteller:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 10A TO262F
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
16733 Pieces
Datenblatt:
1.AOWF10N60.pdf2.AOWF10N60.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:4.5V @ 250µA
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-262F
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:750 mOhm @ 5A, 10V
Verlustleistung (max):25W (Tc)
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:16 Weeks
Hersteller-Teilenummer:AOWF10N60
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:1600pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:40nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 600V 10A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-262F
Drain-Source-Spannung (Vdss):600V
Beschreibung:MOSFET N-CH 600V 10A TO262F
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:10A (Tc)
Email:[email protected]

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