APT68GA60B2D40
APT68GA60B2D40
Artikelnummer:
APT68GA60B2D40
Hersteller:
Microsemi
Beschreibung:
IGBT 600V 121A 520W TO-247
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
13537 Pieces
Datenblatt:
APT68GA60B2D40.pdf

Einführung

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Spezifikation

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):600V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic:2.5V @ 15V, 40A
Testbedingung:400V, 40A, 4.7 Ohm, 15V
Td (ein / aus) bei 25 ° C:21ns/133ns
Schaltenergie:715µJ (on), 607µJ (off)
Serie:POWER MOS 8™
Leistung - max:520W
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-247-3 Variant
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:22 Weeks
Hersteller-Teilenummer:APT68GA60B2D40
Eingabetyp:Standard
IGBT-Typ:PT
Gate-Ladung:198nC
Expanded Beschreibung:IGBT PT 600V 121A 520W Through Hole
Beschreibung:IGBT 600V 121A 520W TO-247
Strom - Collector Pulsed (Icm):202A
Strom - Kollektor (Ic) (max):121A
Email:[email protected]

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