APTGT100DH170G
Artikelnummer:
APTGT100DH170G
Hersteller:
Microsemi
Beschreibung:
IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
15137 Pieces
Datenblatt:
1.APTGT100DH170G.pdf2.APTGT100DH170G.pdf

Einführung

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Spezifikation

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):1700V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic:2.4V @ 15V, 100A
Supplier Device-Gehäuse:SP6
Serie:-
Leistung - max:560W
Verpackung / Gehäuse:SP6
Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
NTC-Thermistor:No
Befestigungsart:Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:22 Weeks
Hersteller-Teilenummer:APTGT100DH170G
Eingangskapazität (Cíes) @ VCE:9nF @ 25V
Eingang:Standard
IGBT-Typ:Trench Field Stop
Expanded Beschreibung:IGBT Module Trench Field Stop Asymmetrical Bridge 1700V 150A 560W Chassis Mount SP6
Beschreibung:IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6
Strom - Collector Cutoff (Max):350µA
Strom - Kollektor (Ic) (max):150A
Konfiguration:Asymmetrical Bridge
Email:[email protected]

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