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APTM100H80FT1G
- Artikelnummer:
- APTM100H80FT1G
- Hersteller:
- Microsemi
- Beschreibung:
- MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 19643 Pieces
- Datenblatt:
- 1.APTM100H80FT1G.pdf2.APTM100H80FT1G.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für APTM100H80FT1G, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für APTM100H80FT1G per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 5V @ 1mA |
|---|---|
| Supplier Device-Gehäuse: | SP1 |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 960 mOhm @ 9A, 10V |
| Leistung - max: | 208W |
| Verpackung: | Bulk |
| Verpackung / Gehäuse: | SP1 |
| Betriebstemperatur: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Chassis Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer: | APTM100H80FT1G |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 3876pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 150nC @ 10V |
| Typ FET: | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| FET-Merkmal: | Standard |
| Expanded Beschreibung: | Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1000V (1kV) 11A 208W Chassis Mount SP1 |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 1000V (1kV) |
| Beschreibung: | MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 11A |
| Email: | [email protected] |
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