APTSM120AM14CD3AG
Artikelnummer:
APTSM120AM14CD3AG
Hersteller:
Microsemi
Beschreibung:
POWER MODULE - SIC
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
15788 Pieces
Datenblatt:
APTSM120AM14CD3AG.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 9mA
Supplier Device-Gehäuse:Module
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:11 mOhm @ 180A, 20V
Leistung - max:2140W
Verpackung:Bulk
Verpackung / Gehäuse:Module
Betriebstemperatur:-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:22 Weeks
Hersteller-Teilenummer:APTSM120AM14CD3AG
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:23000pF @ 1000V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:1224nC @ 20V
Typ FET:2 N-Channel (Dual), Schottky
FET-Merkmal:Silicon Carbide (SiC)
Expanded Beschreibung:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual), Schottky 1200V (1.2kV) 337A (Tc) 2140W Chassis Mount Module
Drain-Source-Spannung (Vdss):1200V (1.2kV)
Beschreibung:POWER MODULE - SIC
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:337A (Tc)
Email:[email protected]

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