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BSB044N08NN3 G
- Artikelnummer:
- BSB044N08NN3 G
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 80V 18A WDSON-2
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 16599 Pieces
- Datenblatt:
- BSB044N08NN3 G.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für BSB044N08NN3 G, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für BSB044N08NN3 G per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 97µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
| Serie: | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 4.4 mOhm @ 30A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 2.2W (Ta), 78W (Tc) |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | 3-WDSON |
| Andere Namen: | BSB044N08NN3 G-ND BSB044N08NN3G BSB044N08NN3GXUMA1 SP000604542 |
| Betriebstemperatur: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 10 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | BSB044N08NN3 G |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 5700pF @ 40V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 73nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 80V 18A (Ta), 90A (Tc) 2.2W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 80V |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 80V 18A WDSON-2 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 18A (Ta), 90A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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