BSC200P03LSGAUMA1
BSC200P03LSGAUMA1
Artikelnummer:
BSC200P03LSGAUMA1
Hersteller:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung:
MOSFET P-CH 30V 12.5A TDSON-8
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
18958 Pieces
Datenblatt:
BSC200P03LSGAUMA1.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:2.2V @ 100µA
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:PG-TDSON-8
Serie:OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:20 mOhm @ 12.5A, 10V
Verlustleistung (max):2.5W (Ta), 63W (Tc)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:8-PowerTDFN
Andere Namen:BSC200P03LS G
BSC200P03LS G-ND
BSC200P03LS GINTR
BSC200P03LS GINTR-ND
SP000359668
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):3 (168 Hours)
Hersteller-Teilenummer:BSC200P03LSGAUMA1
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:2430pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:48.5nC @ 10V
Typ FET:P-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:P-Channel 30V 9.9A (Ta), 12.5A (Tc) 2.5W (Ta), 63W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Drain-Source-Spannung (Vdss):30V
Beschreibung:MOSFET P-CH 30V 12.5A TDSON-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:9.9A (Ta), 12.5A (Tc)
Email:[email protected]

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