Kaufen BSZ15DC02KDHXTMA1 mit BYCHPS
Kaufen mit Garantie
BSZ15DC02KDHXTMA1
- Artikelnummer:
- BSZ15DC02KDHXTMA1
- Beschreibung:
- MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 14157 Pieces
- Datenblatt:
- BSZ15DC02KDHXTMA1.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für BSZ15DC02KDHXTMA1, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für BSZ15DC02KDHXTMA1 per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1.4V @ 110µA |
|---|---|
| Supplier Device-Gehäuse: | PG-TSDSON-8-FL |
| Serie: | Automotive, AEC-Q101, HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 55 mOhm @ 5.1A, 4.5V |
| Leistung - max: | 2.5W |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | 8-PowerTDFN |
| Andere Namen: | BSZ15DC02KDHXTMA1-ND BSZ15DC02KDHXTMA1TR SP000961028 |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 12 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | BSZ15DC02KDHXTMA1 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 419pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 2.8nC @ 4.5V |
| Typ FET: | N and P-Channel Complementary |
| FET-Merkmal: | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| Expanded Beschreibung: | Mosfet Array N and P-Channel Complementary 20V 5.1A, 3.2A 2.5W Surface Mount PG-TSDSON-8-FL |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 20V |
| Beschreibung: | MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 5.1A, 3.2A |
| Email: | [email protected] |
In Verbindung stehende Teile für BSZ15DC02KDHXTMA1
| Image | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
ECH8691-TL-W | ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH ECH8 | Anfrage |
 |
BSZ150N10LS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON | Anfrage |
 |
APTM10AM05FTG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 100V 278A SP4 | Anfrage |
|
APTC90HM60T3G | Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 900V 59A SP3 | Anfrage |
|
APTM20HM20STG | Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 200V 89A SP4 | Anfrage |
 |
PHP225,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8SOIC | Anfrage |
 |
FDMS3604AS | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A 8-PQFN | Anfrage |
 |
ALD110808SCL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC | Anfrage |
 |
AO8822#A | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-TSSOP | Anfrage |
 |
SI1903DL-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 0.41A SC70-6 | Anfrage |
 |
DMP6050SSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2P-CH 60V 4.8A 8-SO | Anfrage |
 |
SI7222DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212-8 | Anfrage |
 |
FDC6036P | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 5A 6SSOT | Anfrage |
läst Nachrichten
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog