Kaufen CPMF-1200-S080B mit BYCHPS
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CPMF-1200-S080B
- Artikelnummer:
- CPMF-1200-S080B
- Hersteller:
- Cree
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH SICFET 1200V 50A DIE
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 19072 Pieces
- Datenblatt:
- CPMF-1200-S080B.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für CPMF-1200-S080B, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für CPMF-1200-S080B per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | +25V, -5V |
| Technologie: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | Die |
| Serie: | Z-FET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 110 mOhm @ 20A, 20V |
| Verlustleistung (max): | 313mW (Tj) |
| Verpackung: | Bulk |
| Verpackung / Gehäuse: | Die |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer: | CPMF-1200-S080B |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 1915pF @ 800V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 90.8nC @ 20V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 1200V (1.2kV) 50A (Tj) 313mW (Tj) Surface Mount Die |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 20V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 1200V (1.2kV) |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH SICFET 1200V 50A DIE |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 50A (Tj) |
| Email: | [email protected] |
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