CPMF-1200-S160B
Artikelnummer:
CPMF-1200-S160B
Hersteller:
Cree
Beschreibung:
MOSFET N-CH SICFET 1200V 28A DIE
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
19835 Pieces
Datenblatt:
CPMF-1200-S160B.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 1mA
Vgs (Max):+25V, -5V
Technologie:SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device-Gehäuse:Die
Serie:Z-FET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:220 mOhm @ 10A, 20V
Verlustleistung (max):202W (Tj)
Verpackung:Bulk
Verpackung / Gehäuse:Die
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer:CPMF-1200-S160B
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:928pF @ 800V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:47.1nC @ 20V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 1200V (1.2kV) 28A (Tj) 202W (Tj) Surface Mount Die
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):20V
Drain-Source-Spannung (Vdss):1200V (1.2kV)
Beschreibung:MOSFET N-CH SICFET 1200V 28A DIE
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:28A (Tj)
Email:[email protected]

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