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CSD17577Q3AT
Artikelnummer:
CSD17577Q3AT
Hersteller:
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
18728 Pieces
Datenblatt:
CSD17577Q3AT.pdf
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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:1.8V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:8-VSONP (3x3.15)
Serie:NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:4.8 mOhm @ 16A, 10V
Verlustleistung (max):2.8W (Ta), 53W (Tc)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:8-PowerVDFN
Andere Namen:296-38336-2
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:6 Weeks
Hersteller-Teilenummer:CSD17577Q3AT
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:2310pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:35nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 30V 35A (Ta) 2.8W (Ta), 53W (Tc) Surface Mount 8-VSONP (3x3.15)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):30V
Beschreibung:MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:35A (Ta)
Email:[email protected]

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