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CSD17579Q3AT
- Artikelnummer:
- CSD17579Q3AT
- Hersteller:
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 12627 Pieces
- Datenblatt:
- CSD17579Q3AT.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für CSD17579Q3AT, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für CSD17579Q3AT per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1.9V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | 8-VSONP (3x3.15) |
| Serie: | NexFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 10.2 mOhm @ 8A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 3.2W (Ta), 29W (Tc) |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | 8-PowerVDFN |
| Andere Namen: | 296-38463-2 |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 6 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | CSD17579Q3AT |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 998pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 15nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 30V 20A (Ta) 3.2W (Ta), 29W (Tc) Surface Mount 8-VSONP (3x3.15) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 30V |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 20A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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