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DMN2005LP4K-7
- Artikelnummer:
- DMN2005LP4K-7
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 20V 200MA 3-DFN
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 16118 Pieces
- Datenblatt:
- DMN2005LP4K-7.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für DMN2005LP4K-7, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für DMN2005LP4K-7 per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 900mV @ 100µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±10V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | X2-DFN1006-3 |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 1.5 Ohm @ 10mA, 4V |
| Verlustleistung (max): | 400mW (Ta) |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | 3-XFDFN |
| Andere Namen: | DMN2005LP4K7 DMN2005LP4KDITR |
| Betriebstemperatur: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 16 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | DMN2005LP4K-7 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 41pF @ 3V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 20V 200mA (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3 |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 1.5V, 4V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 20V |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 20V 200MA 3-DFN |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 200mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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