EPC2103ENGRT
EPC2103ENGRT
Artikelnummer:
EPC2103ENGRT
Hersteller:
EPC
Beschreibung:
TRANS GAN SYM HALF BRDG 80V
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
19864 Pieces
Datenblatt:
EPC2103ENGRT.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 7mA
Supplier Device-Gehäuse:Die
Serie:eGaN®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:5.5 mOhm @ 20A, 5V
Leistung - max:-
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:Die
Andere Namen:917-1146-2
917-1146-2-ND
917-EPC2103ENGRT
917-EPC2103ENGRTR
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer:EPC2103ENGRT
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:7600pF @ 40V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:6.5nC @ 5V
Typ FET:2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Merkmal:GaNFET (Gallium Nitride)
Expanded Beschreibung:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 80V 23A Surface Mount Die
Drain-Source-Spannung (Vdss):80V
Beschreibung:TRANS GAN SYM HALF BRDG 80V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:23A
Email:[email protected]

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