Kaufen EPC2104ENG mit BYCHPS
Kaufen mit Garantie
EPC2104ENG
- Artikelnummer:
- EPC2104ENG
- Hersteller:
- EPC
- Beschreibung:
- TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 19803 Pieces
- Datenblatt:
- EPC2104ENG.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für EPC2104ENG, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für EPC2104ENG per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 5.5mA |
|---|---|
| Supplier Device-Gehäuse: | Die |
| Serie: | eGaN® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 6.3 mOhm @ 20A, 5V |
| Leistung - max: | - |
| Verpackung: | Tray |
| Verpackung / Gehäuse: | Die |
| Andere Namen: | 917-EPC2104ENG EPC2104ENGRH4 |
| Betriebstemperatur: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer: | EPC2104ENG |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 800pF @ 50V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 7nC @ 5V |
| Typ FET: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET-Merkmal: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Expanded Beschreibung: | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 100V 23A Surface Mount Die |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 100V |
| Beschreibung: | TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 23A |
| Email: | [email protected] |
In Verbindung stehende Teile für EPC2104ENG
| Image | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
EPC2102ENG | EPC | TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE | Anfrage |
 |
EPC2100ENGRT | EPC | MOSFET ARRAY 2N-CH 30V DIE | Anfrage |
|
EPC2103ENGRT | EPC | TRANS GAN SYM HALF BRDG 80V | Anfrage |
|
EPC2101ENG | EPC | TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE | Anfrage |
|
EPC2105ENG | EPC | TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE | Anfrage |
 |
EPC2108ENGRT | EPC | TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE | Anfrage |
 |
EPC2106ENGRT | EPC | TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE | Anfrage |
|
EPC2103ENG | EPC | TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE | Anfrage |
|
EPC2104ENGRT | EPC | MOSFET 2NCH 100V 23A DIE | Anfrage |
|
EPC2105ENGRT | EPC | MOSFET 2NCH 80V 9.5A DIE | Anfrage |
|
EPC2101ENGRT | EPC | TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID | Anfrage |
 |
EPC2110ENGRT | EPC | TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE | Anfrage |
|
EPC2100ENG | EPC | TRANS GAN 2N-CH 30V BUMPED DIE | Anfrage |
|
EPC2107ENGRT | EPC | TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE | Anfrage |
|
EPC2102ENGRT | EPC | MOSFET ARRAY 2N-CH 60V DIE | Anfrage |
läst Nachrichten
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog