FCB20N60F_F085
FCB20N60F_F085
Artikelnummer:
FCB20N60F_F085
Hersteller:
Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET N CH 600V 20A TO-263AB
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
20141 Pieces
Datenblatt:
FCB20N60F_F085.pdf

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:D²PAK (TO-263AB)
Serie:Automotive, AEC-Q101, SuperFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:195 mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (max):405W (Tc)
Verpackung:Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen:FCB20N60F_F085DKR
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:16 Weeks
Hersteller-Teilenummer:FCB20N60F_F085
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:2035pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:102nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 600V 20A (Tc) 405W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):600V
Beschreibung:MOSFET N CH 600V 20A TO-263AB
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:20A (Tc)
Email:[email protected]

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