FDP8030L
Artikelnummer:
FDP8030L
Hersteller:
Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 80A TO220
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
19227 Pieces
Datenblatt:
1.FDP8030L.pdf2.FDP8030L.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-220-3
Serie:PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:3.5 mOhm @ 80A, 10V
Verlustleistung (max):187W (Tc)
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-220-3
Andere Namen:FDP8030L-ND
FDP8030LFS
Betriebstemperatur:-65°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:9 Weeks
Hersteller-Teilenummer:FDP8030L
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:10500pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:170nC @ 5V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 30V 80A (Ta) 187W (Tc) Through Hole TO-220-3
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):30V
Beschreibung:MOSFET N-CH 30V 80A TO220
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:80A (Ta)
Email:[email protected]

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