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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiterprodukte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > CSD19536KCS
CSD19536KCS
Artikelnummer:
CSD19536KCS
Hersteller:
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V TO-220
Bleifreier Status / RoHS Status:
Enthält Blei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
17685 Pieces
Datenblatt:
CSD19536KCS.pdf
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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:3.2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-220-3
Serie:NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:2.7 mOhm @ 100A, 10V
Verlustleistung (max):375W (Tc)
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-220-3
Andere Namen:296-37289-5
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:20 Weeks
Hersteller-Teilenummer:CSD19536KCS
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:12000pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:153nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 100V 150A (Ta) 375W (Tc) Through Hole TO-220-3
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):6V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):100V
Beschreibung:MOSFET N-CH 100V TO-220
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:150A (Ta)
Email:[email protected]

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