FDS3670
FDS3670
Artikelnummer:
FDS3670
Hersteller:
Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 6.3A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
17717 Pieces
Datenblatt:
FDS3670.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:8-SOIC
Serie:PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:32 mOhm @ 6.3A, 10V
Verlustleistung (max):2.5W (Ta)
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer:FDS3670
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:2490pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:80nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 100V 6.3A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Drain-Source-Spannung (Vdss):100V
Beschreibung:MOSFET N-CH 100V 6.3A 8-SOIC
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:6.3A (Ta)
Email:[email protected]

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