FQB9N50CFTM_WS
FQB9N50CFTM_WS
Artikelnummer:
FQB9N50CFTM_WS
Hersteller:
Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET N-CH 500V 9A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
17863 Pieces
Datenblatt:
FQB9N50CFTM_WS.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:D²PAK (TO-263AB)
Serie:FRFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:850 mOhm @ 4.5A, 10V
Verlustleistung (max):173W (Tc)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen:FQB9N50CFTM_WSTR
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer:FQB9N50CFTM_WS
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:1030pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:35nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 500V 9A (Tc) 173W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Drain-Source-Spannung (Vdss):500V
Beschreibung:MOSFET N-CH 500V 9A D2PAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:9A (Tc)
Email:[email protected]

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