FQI27N25TU
FQI27N25TU
Artikelnummer:
FQI27N25TU
Hersteller:
Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET N-CH 250V 25.5A I2PAK
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
19373 Pieces
Datenblatt:
FQI27N25TU.pdf

Einführung

BYCHIPS ist der Strumpfhändler für FQI27N25TU, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für FQI27N25TU per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Kaufen FQI27N25TU mit BYCHPS
Kaufen mit Garantie

Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:I2PAK
Serie:QFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:110 mOhm @ 12.75A, 10V
Verlustleistung (max):3.13W (Ta), 180W (Tc)
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:6 Weeks
Hersteller-Teilenummer:FQI27N25TU
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:2450pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:65nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 250V 25.5A (Tc) 3.13W (Ta), 180W (Tc) Through Hole I2PAK
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):250V
Beschreibung:MOSFET N-CH 250V 25.5A I2PAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:25.5A (Tc)
Email:[email protected]

Schnell Angebot anfordern

Artikelnummer
Anzahl
Unternehmen
Email
Telefon
Bemerkung/Erläuterung