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FQP32N20C_F080
- Artikelnummer:
- FQP32N20C_F080
- Hersteller:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 200V 28A TO-220
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 13368 Pieces
- Datenblatt:
- 1.FQP32N20C_F080.pdf2.FQP32N20C_F080.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für FQP32N20C_F080, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für FQP32N20C_F080 per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-220AB |
| Serie: | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 82 mOhm @ 14A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 156W (Tc) |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-220-3 |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer: | FQP32N20C_F080 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 2200pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 110nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 200V 28A (Tc) 156W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 200V |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 200V 28A TO-220 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 28A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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