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SIE836DF-T1-GE3
- Artikelnummer:
- SIE836DF-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay / Siliconix
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 14246 Pieces
- Datenblatt:
- SIE836DF-T1-GE3.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für SIE836DF-T1-GE3, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für SIE836DF-T1-GE3 per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4.5V @ 250µA |
|---|---|
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | 10-PolarPAK® (SH) |
| Serie: | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 130 mOhm @ 4.1A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 5.2W (Ta), 104W (Tc) |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | 10-PolarPAK® (SH) |
| Andere Namen: | SIE836DF-T1-GE3TR SIE836DFT1GE3 |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer: | SIE836DF-T1-GE3 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 1200pF @ 100V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 41nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 200V 18.3A (Tc) 5.2W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (SH) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 200V |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 18.3A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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