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FQT1N60CTF_WS
- Artikelnummer:
- FQT1N60CTF_WS
- Hersteller:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 600V 0.2A SOT-223-4
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 16923 Pieces
- Datenblatt:
- 1.FQT1N60CTF_WS.pdf2.FQT1N60CTF_WS.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für FQT1N60CTF_WS, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für FQT1N60CTF_WS per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±30V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | SOT-223-4 |
| Serie: | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 11.5 Ohm @ 100mA, 10V |
| Verlustleistung (max): | 2.1W (Tc) |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-261-4, TO-261AA |
| Andere Namen: | FQT1N60CTF_WSTR FQT1N60CTFWS |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 7 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | FQT1N60CTF_WS |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 170pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 6.2nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 600V 200mA (Tc) 2.1W (Tc) Surface Mount SOT-223-4 |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 600V |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 600V 0.2A SOT-223-4 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 200mA (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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