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GA10SICP12-263
- Artikelnummer:
- GA10SICP12-263
- Hersteller:
- GeneSiC Semiconductor
- Beschreibung:
- TRANS SJT 1200V 25A TO263-7
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 15225 Pieces
- Datenblatt:
- GA10SICP12-263.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für GA10SICP12-263, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für GA10SICP12-263 per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | - |
|---|---|
| Vgs (Max): | 3.5V |
| Technologie: | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Supplier Device-Gehäuse: | D2PAK (7-Lead) |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 100 mOhm @ 10A |
| Verlustleistung (max): | 170W (Tc) |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Andere Namen: | 1242-1318 GA10SICP12-263-ND |
| Betriebstemperatur: | 175°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 18 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | GA10SICP12-263 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 1403pF @ 800V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| Typ FET: | - |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | 1200V (1.2kV) 25A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 1200V (1.2kV) |
| Beschreibung: | TRANS SJT 1200V 25A TO263-7 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 25A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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