Kaufen GP1M003A080CH mit BYCHPS
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| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-252, (D-Pak) |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 4.2 Ohm @ 1.5A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 94W (Tc) |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Andere Namen: | 1560-1155-2 |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer: | GP1M003A080CH |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 696pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 19nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 800V 3A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 800V |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 800V 3A DPAK |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 3A (Tc) |
| Email: | [email protected] |