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GP1M003A090PH
- Artikelnummer:
- GP1M003A090PH
- Hersteller:
- Global Power Technologies Group
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 900V 2.5A IPAK
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 16866 Pieces
- Datenblatt:
- GP1M003A090PH.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für GP1M003A090PH, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für GP1M003A090PH per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | I-Pak |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 5.1 Ohm @ 1.25A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 94W (Tc) |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Andere Namen: | 1560-1158-1 1560-1158-1-ND |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer: | GP1M003A090PH |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 748pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 17nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 900V 2.5A (Tc) 94W (Tc) Through Hole I-Pak |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 900V |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 900V 2.5A IPAK |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 2.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
In Verbindung stehende Teile für GP1M003A090PH
| Image | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
GP1M003A080CH | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 800V 3A DPAK | Anfrage |
 |
GP1M003A040PG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 400V 2A IPAK | Anfrage |
 |
GP1M003A090C | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 900V 2.5A DPAK | Anfrage |
|
GP1M003A040CG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 400V 2A DPAK | Anfrage |
 |
GP1M003A050FG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220F | Anfrage |
 |
GP1M003A080H | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 800V 3A TO220 | Anfrage |
|
GP1M003A080PH | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 800V 3A IPAK | Anfrage |
|
GP1M003A050CG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK | Anfrage |
|
GP1M003A050PG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK | Anfrage |
|
GP1M003A050HG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220 | Anfrage |
|
GP1M003A080FH | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 800V 3A TO220F | Anfrage |
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