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GP2M012A080NG
- Artikelnummer:
- GP2M012A080NG
- Hersteller:
- Global Power Technologies Group
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 800V 12A TO3PN
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 14029 Pieces
- Datenblatt:
- GP2M012A080NG.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für GP2M012A080NG, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für GP2M012A080NG per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-3PN |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 650 mOhm @ 6A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 416W (Tc) |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Andere Namen: | 1560-1211-1 1560-1211-1-ND |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer: | GP2M012A080NG |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 3370pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 79nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 800V 12A (Tc) 416W (Tc) Through Hole TO-3PN |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 800V |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 800V 12A TO3PN |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 12A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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